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如今認為，對于芯片愈來愈重視標準，半導體材料也是在不斷更新構建，新能源時代問題，對于高性能半導體材料更為迫切結構，碳化硅應用的因素之一，作為三代半導體材料真諦所在，對于材料的碳硫檢測慢體驗，選用紅外碳硫儀作為檢測方法著力增加。

三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表科技實力，與前兩代半導體材料相比流程，其優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度勃勃生機，適合制備耐高壓助力各業、高頻的功率器件，是電動汽車提供有力支撐、5G 基站應用、衛(wèi)星等新興領域的理想材料建議。

SiC具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場相貫通、高熱傳導率和高電子飽和速率的物理性能不斷發展，使其有耐高溫、耐高壓自動化方案、高頻緊密協作、大功率、抗輻射等優(yōu)點線上線下，可降低下游產品能耗發揮重要作用、減少終端體積。碳化硅的禁帶寬度大約為3.2eV講道理，硅的寬帶寬度為1.12eV發展目標奮鬥，大約為碳化硅禁帶寬度的1/3，這也就說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料更多的合作機會。

碳化硅在5G基站中的應用

此外延伸，碳化硅的熱導率大幅高于其他材料，從而使得碳化硅器件可在較高的溫度下運行服務好，其工作溫度高達600℃新趨勢，而硅器件的極限溫度僅為300℃；另一方面共謀發展，高熱導率有助于器件快速降溫凝聚力量，從而下游企業(yè)可簡化器件終端的冷卻系統(tǒng)，使得器件輕量化聽得進。

同時新的力量，碳化硅具有較高的能量轉換效率，且不會隨著頻率的提高而降低便利性，碳化硅器件的工作頻率可以達到硅基器件的10倍全面展示，相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET總能量損耗僅為硅基IGBT 的 30%。碳化硅材料將在高溫深刻認識、高頻核心技術、高頻領域逐步替代硅，在5G通信主動性、航空航天創造性、新能源汽車、智能電網領域發(fā)揮重要作用。

紅外碳硫儀作為檢測材料中碳硫元素的高效方法，被廣泛應用解決，對于碳化硅材料中的硫元素可做高精度分析著力增加。